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Product Details
Dics Thyristor (SKT491/16E)
| Model NO.: | SKT491/16E |
|---|---|
| Productivity: | 10, 000pcs per month |
| Unit Price/Payment: | To Be Negotiable |
| Trademark: | huajing |
| Origin: | China |
| Min. Order: | To Be Negotiable |
| Transportation: | Air or Sea |
Product Description
Dics Thyristor
Features
Hermetic metal case with ceramic insulator
Capsule package for double sided cooling
Shallow design with single sided cooling
International standard case
Off-state and reverse voltages up to 1800 V
Amplifying gate
Typical Applications
DC motor control
(e. G. For machine tools)
Controlled rectifiers
(e. G. For battery charging)
AC controllers
(e. G. For temperature control)
Recommended snubber network
E. G. For VVRMS ≤ 400 V:
R = 33 ohm/32 W, C = 0, 47 uF
| V RSM | V RRM , V DRM | I TRMS = 1000 A (maximum value for continuous operation) | ||
| V | V | I TAV = 490 A (sin. 180; DSC; T c = 80 °C) | ||
| 500 | 400 | SKT 491/04E | ||
| 1300 | 1200 | SKT 491/12E | ||
| 1500 | 1400 | SKT 491/14E | ||
| 1700 | 1600 | SKT 491/16E | ||
| 1900 | 1800 | SKT 491/18E | ||
| Symbol | Conditions | Values | Units | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| I TAV | sin. 180; T c = 100 (85) °C; | 321 ( 452 ) | A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| I D | 2 x P8/180; T a = 45 °C; B2 / B6 | 320 / 450 | A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2 x P8/180F; T a = 35 °C; B2 / B6 | 760 / 1000 | A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| I RMS | 2 x P8/180; T a = 45 °C; W1C | 350 | A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| I TSM | T vj = 25 °C; 10 ms | 8000 | A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| T vj = 125 °C; 10 ms | 7000 | A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| i²t | T vj = 25 °C; 8,3 ... 10 ms | 320000 | A²s | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| T vj = 125 °C; 8,3 ... 10 ms | 245000 | A²s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| V T | T vj = 25 °C; I T = 1500 A | max. 2,1 | V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| V T(TO) | T vj = 125 °C | max. 1,1 | V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| r T | T vj = 125 °C | max. 0,7 | mOhm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| I DD ; I RD | T vj = 125 °C; V RD = V RRM ; V DD = V DRM | max. 50 | mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| t gd | T vj = 25 °C; I G = 1 A; di G /dt = 1 A/µs | 1 | µs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| t gr | V D = 0,67 * V DRM | 1 | µs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| (di/dt) cr | T vj = 125 °C | max. 125 | A/µs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| (dv/dt) cr | T vj = 125 °C | max. 1000 | V/µs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| t q | T vj = 125 °C , | 50 ... 150 | µs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| I H | T vj = 25 °C; typ. / max. | 150 / 500 | mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| I L | T vj = 25 °C; R G = 33 Ω; typ. / max. | 500 / 2000 | mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| V GT | T vj = 25 °C; d.c. | min. 3 | V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| I GT | T vj = 25 °C; d.c. | min. 250 | mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
